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    超邁南光:公司物理氣相沉積碳化硅相關專利獲批
    發布者:管理員 發布時間:2017-07-30 21:37:38 閱讀:160

    近日,公司“一種物理氣相沉積制備碳化硅晶體的坩堝”專利獲得審批,該專利是公司布局碳化硅行業的開始。

    背景:

    碳化硅半導體材料是一種共價鍵晶體,有閃鋅礦型和鉛鋅礦 型兩種結晶形式。
    碳化硅半導體材料、ilic}n carbide semiconductors 5iC 屬W族化合物半導體。為共價鍵晶體,有閃鋅礦型和鉛鋅礦 型兩種結晶形式。密度.i . 2} I}m“二熔點283U}"-,本征電阻率 [L一0.7)i}wm},禁帶寬度2.99一42.br}'。電子遷移率 3(10---9(1D}m'-I( V w ),介電常數9.72一10.32。采用艾奇遜 [Acheso耐法合成。硅過量時為n型半導體,碳過量時為p }1 半導體。主要用于制造避雷器閥片孔壓敏電阻器

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